Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорныхстатей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В...
ISBN: 5-8360-0068-9
Издательство:
URSS
Дата выхода: декабрь 1999
В брошюру вошел свод правил, который устанавливает требования к проектированию и устройству различных типов свай в различных инженерно-геологических условиях и для различных видов строительства.
ISBN: 5-93630-433-7
Издательство:
Деан
Дата выхода: январь 2005
Найденных опечаток пока нет
Добавить запись