Часть I. Вакуумная и плазменная электроника
5
Введение 7
1. Краткая историческая справка 9
2. Физика и техника вакуума 15
2.1. Свойства вакуума 15
2.2. Методы создания вакуума 22
2.3. Методы измерения вакуума 26
2.4. Методы течеискания 37
Задачи и упражнения 40
Контрольные вопросы 44
Рекомендуемая литература 44
3. Вакуумная электроника 45
3.1. Модель прибора вакуумной электроники 45
3.2. Электронная эмиссия 46
3.2.1. Термоэлектронная эмиссия 47
3.2.2. Фотоэлектронная эмиссия 49
3.2.3. Вторичная электронная эмиссия 51
3.2.4. Кинетическая ионно-электронная эмиссия 52
3.2.5. Эмиссия горячих электронов 52
3.2.6. Экзоэлектронная эмиссия 53
3.2.7. Автоэлектронная эмиссия 53
3.2.8. Потенциальная ионно-электронная эмиссия 55
3.3. Эмиттеры свободных электронов 55
3.3.1. Электронная пушка 55
3.4. Управление полями потоками электронов 57
3.4.1. Однородное электрическое поле 57
3.4.2. Однородное магнитное поле 59
3.4.3. Движение электрона в скрещенных полях 63
3.5. Устройства управления электронным пучком 68
3.5.1. Электростатическая отклоняющая система 68
3.5.2. Управление электронной оптикой 71
3.5.3. Управление магнитной оптикой 75
3.6. Управление скоростью электронов 77
3.6.1. Резонаторные методы скоростной модуляции электронов 77
3.6.2. Нерезонансные устройства скоростной модуляции 79
3.7. Детектирование и преобразование энергии электронного потока 80
3.7.1. Наведение тока при движении электронов в вакууме 80
3.7.2. Отбор энергии от электронного потока 82
3.7.3. Процессы взаимодействия электронов с веществом детектора 83
Задачи и упражнения 86
Контрольные вопросы 96
Рекомендуемая литература 97
4. Приборы и устройства вакуумной электроники 98
4.1. Классификация приборов 98
4.2. Электронные лампы 98
4.3. Электровакуумные микролампы 105
4.4. СВЧ-приборы 106
4.4.1. Электронные лампы СВЧ 106
4.4.2. Клистроны 106
4.4.3. Лампы бегущей волны 109
4.4.4. Лампы обратной волны 110
4.4.5. Магнетроны 111
4.5. Электронно-лучевые приборы 114
4.5.1. Приборы типа "сигнал—свет" 114
4.5.2. Прибор типа "свет—сигнал" 116
4.5.3. Приборы типа "сигнал—сигнал" 120
4.5.4. Приборы типа "свет—свет" 121
4.6. Фотоэлектронные приборы 122
4.6.1. Вакуумные фотоэлементы 122
4.6.2. Фотоэлектронные умножители 123
Задачи и упражнения 124
Контрольные вопросы 133
Рекомендуемая литература 133
5. Плазменная электроника 134
5.1. Основные понятия 134
5.2. Электрический разряд в газах 134
5.3. Процессы в плазме 137
5.4. Излучение плазмы 141
5.5. Диагностика плазмы 142
Задачи и упражнения 142
Контрольные вопросы 151
Рекомендуемая литература 151
6. Приборы и устройства плазменной электроники 152
6.1. Ионные приборы 152
6.2. Приборы отображения информации 153
6.3. Ионные приборы на углеродных нанотрубках 155
Задачи и упражнения 156
Контрольные вопросы 158
Рекомендуемая литература 158
Заключение 159
Часть II. Твердотельная электроника
161
Введение 163
1. Краткая историческая справка 164
1.1. Эпоха транзисторизации 168
2. Физические основы твердотельной электроники 173
2.1. Полупроводники и их структура 173
2.2. Носители заряда в полупроводниках 175
2.3. Явления переноса носителей 181
2.3.1. Барьеры на границах кристалла 183
2.3.2. Электронно-дырочные переходы 185
2.3.3. Гетеропереходы 191
2.3.4. Контакты 193
Контрольные вопросы 196
Рекомендуемая литература 196
3. Полупроводниковые приборы 197
3.1. Полупроводниковые диоды 197
3.2. Транзисторы 203
3.3. Тиристоры 207
3.4. Полупроводниковые излучатели 208
3.5. Полупроводниковые фотоприемники 209
3.6. Полупроводниковые датчики 213
Задачи и упражнения 217
Контрольные вопросы 228
Рекомендуемая литература 228
Заключение 229
Часть III. Микроэлектроника
231
Введение 233
1. Краткая историческая справка 234
1.1. Третья транзисторная революция — рождение микроэлектроники 234
1.2. Грядет ли новая транзисторная революция? 238
1.3. Линии развития, параллельные транзистору 239
1.4. Место микроэлектроники в сфере высоких технологий 244
2. Интегральные транзисторные структуры 247
2.1. Классификация транзисторных структур 247
2.2. Интегральные униполярные транзисторы 248
2.2.1. МДП-транзисторы с индуцированным каналом 248
2.2.2. МДП-транзисторы со встроенным каналом 250
2.2.3. Комплементарные структуры 251
2.3. Транзистор с управляющим p—n-переходом 252
2.4. Полевой транзистор на гетероструктурах 254
2.5. V-МДП-транзисторы 257
2.6. Эпитаксиально-планарный биполярный транзистор 257
2.6.1 Физические основы работы 259
2.6.2. Малосигнальные параметры 260
2.7. Многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторы 264
2.8. Транзисторные структуры интегрально-инжекционной логики 265
2.9. Транзистор с барьером Шоттки 265
2.10. Перспективные транзисторные структуры 266
Задачи и упражнения 272
Контрольные вопросы 284
Рекомендуемая литература 284
3. Элементная база интегральных схем 285
3.1. Способы изоляции элементов 285
3.2. Интегральные диоды 288
3.3. Интегральные резисторы 291
3.4. Интегральные конденсаторы 293
Задачи и упражнения 297
Контрольные вопросы 300
Рекомендуемая литература 300
4. Классификация интегральных схем 301
4.1. Принципы классификации 301
4.2. Условные обозначения 307
4.3. Основные параметры интегральных схем 310
4.4. Применение и эксплуатация интегральных схем 314
Рекомендуемая литература 315
5. БМК и ПЛИС 316
5.1. Классификация базовых матричных кристаллов 316
5.2. Программируемые логические интегральные схемы 320
5.3. Система на кристалле 322
Контрольные вопросы 323
Рекомендуемая литература 323
6. Интегральные схемы СВЧ-диапазона 324
6.1. Общие положения 324
6.2. Элементная база электроники СВЧ 325
6.3. Интегральные транзисторы СВЧ-диапазона 328
6.4. Монолитные арсенид-галлиевые ИС 330
Контрольные вопросы 332
Рекомендуемая литература 332
Заключение 333
Часть IV. Квантовая и оптическая электроника
335
Введение 337
1. Краткая историческая справка 338
2. Физические основы квантовой электроники 346
2.1. Спонтанное и вынужденное излучения 346
2.2. Спектральные линии 349
2.3. Поглощение и усиление 350
Задачи и упражнения 352
Контрольные вопросы 359
Рекомендуемая литература 359
3. Принципы работы лазера 360
Задачи и упражнения 365
Контрольные вопросы 369
Рекомендуемая литература 370
4. Типы лазеров 371
4.1. Лазеры на конденсированных средах 371
4.1.1. Твердотельные лазеры 371
4.1.2. Жидкостные лазеры 377
4.2. Газовые лазеры 379
Задачи и упражнения 389
Контрольные вопросы 393
Рекомендуемая литература 393
5. Управление световыми потоками 394
5.1. Устройства управления 394
5.2. Оптические волноводы 398
5.3. Волоконные световоды 403
Контрольные вопросы 405
Рекомендуемая литература 406
6. Приемники излучения 407
6.1. Фотодиоды 407
6.2. Фотоприемники с внутренним усилением 410
6.3. Гетеродинный прием оптического излучения 412
Контрольные вопросы 414
Рекомендуемая литература 415
7. Введение в интегральную оптику 416
7.1. Элементы интегральной оптики 416
7.2. Элементная база интегральной оптики 417
7.3. Интегрально-оптические схемы 420
Контрольные вопросы 422
Рекомендуемая литература 423
8. Введение в оптоэлектронику 424
8.1. Элементная база 424
8.2. Оптоэлектронные устройства обработки информации 428
Контрольные вопросы 429
Рекомендуемая литература 429
9. Оптические методы обработки информации 430
9.1. Оптические сигналы 430
9.2. Голография 432
9.2.1. Принципы голографической обработки информации 432
9.2.2. Голографическая элементная база 435
9.2.3. Голографические запоминающие устройства 435
9.3. Интерферометрические методы 437
9.4. Когерентные оптические системы аналоговой обработки информации 438
9.5. Структуры с пониженной размерностью 443
9.5.1. Лазерные наноструктуры 445
9.5.2. Фотоприемники на квантовых точках 447
Контрольные вопросы 448
Рекомендуемая литература 449
Заключение 450
Часть V. Процессы микро- и нанотехнологии
451
Введение 453
1. Технологические процессы изготовления ИС 454
1.1. Процессы первичной обработки материалов 454
1.2. Процессы литографии 457
1.2.1. Фотолитография 458
1.2.2. Электронолитография 462
1.2.3. Рентгенолитография 467
1.2.4. Ионная литография 469
1.2.5. Лазерная литография 471
1.3. Процессы локального изменения свойств полупроводников 471
1.3.1. Эпитаксия 471
1.3.2. Легирование полупроводников 475
1.4. Процессы обработки поверхности 484
1.4.1. Окисление кремния 484
1.4.2. Травление 484
1.4.3. Металлизация поверхности 490
1.5. Сборка интегральных схем 493
1.6. Типовые технологические маршруты производства ИС 495
Задачи и упражнения 499
Контрольные вопросы 507
Рекомендуемая литература 507
2. Процессы нанотехнологий 508
2.1. Молекулярно-лучевая эпитаксия 508
2.2. Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений 511
2.3. Формирование структур на основе коллоидных растворов 515
2.4. Золь-гель технология 517
2.5. Методы молекулярного наслаивания и атомно-слоевой эпитаксии 518
2.6. Сверхтонкие пленки металлов и диэлектриков 520
2.7. Самоорганизация гетероэпитаксиальных структур 520
2.8. Ионный синтез квантовых наноструктур 522
2.9. Методы зондовой нанотехнологии 524
Контрольные вопросы 533
Рекомендуемая литература 533
3. Организационно-технологические основы производства 534
3.1. Базовые субмикронные технологии 534
3.2. Контроль качества интегральных схем 536
3.3. Физико-технологические и экономические ограничения интеграции ИС 547
3.4. Барьеры на пути от микро- к наноэлектронике 550
Контрольные вопросы 552
Рекомендуемая литература 552
Заключение 553
Часть VI. Методы исследования материалов и структур электроники
555
Введение 557
1. Методы измерения параметров полупроводников 558
1.1. Исследование кристаллической структуры 558
1.2. Диагностика параметров полупроводников 560
1.2.1. Удельное сопротивление 560
1.2.2. Диагностика поверхностных состояний 563
1.2.3. Определение концентрации примесей 565
1.2.4. Кинетические параметры 567
Контрольные вопросы 569
Рекомендуемая литература 569
2. Исследования химического состава поверхности 570
2.1. Масс-спектроскопия 570
2.2. Оже-электронная спектроскопия 575
2.3. Ионная масс-спектроскопия 578
2.4. Фотоэлектронная спектроскопия 581
2.5. Радиоспектроскопия 583
Контрольные вопросы 584
Рекомендуемая литература 585
3. Исследования физической структуры поверхности 586
3.1. Рентгеноструктурный анализ 586
3.1.1. Общие положения 586
3.1.2. Метод Лауэ 587
3.1.3. Метод Дебая — Шеррера 588
3.1.4. Прецизионный рентгеноструктурный анализ 589
3.2. Анализ поверхности электронным пучком 591
3.2.1. Метод дифракции медленных электронов 593
3.2.2. Метод дифракции отраженных быстрых электронов 594
3.3. Полевая эмиссионная микроскопия 595
3.4. Сканирующая зондовая микроскопия 598
3.4.1. Сканирующая туннельная микроскопия 598
3.4.2. Атомно-силовая микроскопия 601
3.4.3. Контактная атомно-силовая микроскопия 602
3.4.4. Колебательный метод атомно-силовой микроскопии 603
3.4.5. Микроскопия электростатических сил 604
3.5. Электронная микроскопия 605
3.5.1. Просвечивающая электронная микроскопия 605
3.5.2. Растровая электронная микроскопия 606
3.6. Эллипсометрия 607
Контрольные вопросы 613
Рекомендуемая литература 613
Заключение 614
Часть VII. Микроcхемотехника
615
Введение 617
1. Логические элементы интегральных схем 619
1.1. Классификация логических элементов 619
1.2. Основные характеристики логических элементов 622
1.3. Логические ИС на биполярных транзисторах 624
1.3.1. Логические элементы с передачей тока или напряжения 624
1.3.2. Логические элементы с логикой на входе 628
1.3.3. Логические схемы на переключателях тока 630
1.4. Логические элементы на МДП-транзисторах 632
1.5. Логические элементы на арсенид-галлиевых транзисторах 636
1.6. Логические элементы на БиКМОП-транзисторах 638
1.7. Сравнительный анализ логических элементов 639
Задачи и упражнения 640
Контрольные вопросы 643
Рекомендуемая литература 644
2. Запоминающие устройства 645
2.1. Классификация запоминающих устройств 645
2.2. ЗУ на биполярных транзисторах 647
2.3. ЗУ на МДП-транзисторах 649
2.4. ЗУ на арсенид-галлиевых структурах 653
Задачи и упражнения 654
Контрольные вопросы 659
Рекомендуемая литература 659
3. Триггеры и устройства на их основе 660
3.1. Бистабильные ячейки 660
3.2. Триггер Шмитта 661
3.3. RS-триггер 662
3.4. RST-триггер 663
3.5. D-триггер 663
3.6. T-триггер 664
3.7. JK-триггер 665
3.8. Счетчики 666
3.9. Регистры сдвига 667
3.10. Сумматоры 668
3.11. Шифраторы и дешифраторы 669
3.12. Мультиплексор 671
Задачи и упражнения 672
Контрольные вопросы 674
Рекомендуемая литература 674
4. Микропроцессоры и микроконтроллеры 675
4.1. Микропроцессоры 675
4.2. Микропроцессорные системы 680
Задачи и упражнения 683
Контрольные вопросы 684
Рекомендуемая литература 685
5. Аналоговая схемотехника 686
5.1. Классификация аналоговых схем 686
5.2. Операционный усилитель 688
5.3. Аппаратурные включения операционных усилителей 691
5.3.1. Линейные включения операционного усилителя 691
5.3.2. Нелинейные включения операционного усилителя 694
Задачи и упражнения 696
Контрольные вопросы 697
Рекомендуемая литература 697
6. Преобразователи ЦАП — АЦП 698
6.1. Цифроаналоговый преобразователь 698
6.2. Аналого-цифровой преобразователь 698
Задачи и упражнения 700
Контрольные вопросы 700
Рекомендуемая литература 701
Заключение 702
Заключение 703
Приложение 704
Вехи развития отечественной электроники 704
Российский период 704
Советский период 708
Новейший российский период 726
Предметный указатель 731