книги Наука, техника, медицина Естественные науки Точные науки Физика

Electrostatic doping in novel materials. A infrared study

Код 911182

Нет в продаже

Аннотация к книге "Electrostatic doping in novel materials. A infrared study"

In this book we present the investigation of electrostatic doping in a wide variety of novel materials incorporated in field-effect transistors (FETs), including polymers, organic molecular crystals, graphene and bilayer graphene. These studies have lead to substantial advances in our current understanding of these materials. Specifically, we performed the first infrared (IR) imaging of the accumulation layer in poly(3-hexylthiophene) (P3HT) FETs. Furthermore, we found that charge carriers in...

Оставить комментарий

Оцените книгу:

Издательство: Книга по требованию
Дата выхода: июль 2011
ISBN: 978-3-6391-4747-6
Объём: 112 страниц
Масса: 190 г
Размеры(высота, ширина, толщина), см: 23 x 16 x 1

Вместе с этой книгой покупают