Предисловие
Глава первая. Эволюция развития силовых полупроводниковых ключей
1.1. В круге первом
1.2. Идеи воплощаются в жизнь
1.3. Первое "обустройство" транзистора
1.4. В единстве наша сила
1.5. Соты нужны не только пчелам
1.6. У каждой потайной двери есть свой ключ
1.7. Kто на новенького?
Глава вторая. Базовые структуры силовых полупроводниковых ключей
2.1. Введение
2.2. Транзисторы
2.3. Тиристоры
Глава третья. Характеристики и параметры силовых ключей
3.1. Выбор ключевого элемента схемы
3.2. Основные группы справочных данных по силовым ключам
3.3. Предельные характеристики полупроводниковых ключей
3.4. Тепловые характеристики полупроводниковых ключей
Глава четвертая. Управление силовыми полупроводниковыми ключами
4.1. Функции инструктуры систем управления преобразователями
4.2. Основные типы формирователей импульсов управления
4.3. Формирователи импульсов управления с совместной передачей питания и формы управляющего сигнала
4.4. Формирователи импульсов управления с раздельной передачей питания и информационного сигнала
4.5. Источники питания драйверов
Глава пятая. Методы и схемы защиты полупроводниковых ключей
5.1. Основные виды перегрузок по напряжению и току
5.2. Методы защиты от помех
5.3. Защитные цепи силовых ключей
5.4. Защита силовых ключей от режимов короткого замыкания
5.5. Силовые ключи с интегрированной системой защиты
Глава шестая. Применение мощных полупроводниковых ключей в силовых схемах
6.1. Основные области применения ключевых приборов
6.2. Типовые схемы транзисторных ключей
6.3. Тиристорные ключи
6.4. Применение ключевых транзисторов в схемах электронных балластов
6.5. Применение мощных МДП-транзисторов в импульсных источниках питания
6.6. Применение мощных ключей в схемах управления электродвигателями переменного тока
Приложение 1. Биполярные транзисторы с интегрированной схемой ограничения насыщения
Приложение 2. Мощные низковольтные МДП-транзисторы
Приложение 3. Мощные высоковольтные МДП-транзисторы
Приложение 4. Высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором
Приложение 5. Мощные полупроводниковые ключи технологии Trench Gate
Приложение 6. IGBT-модули с улучшенной конструкцией корпуса
Приложение 7. Сверхмощные полупроводниковые ключи новых технологий
Приложение 8. Интегральные оптроны для драйверов дискретных ключей
Приложение 9. Интегральные драйверы транзисторов
Приложение 10. Интегральные драйверы силовых модулей
Словарь терминов
Список литературы
Список фирм